C/C複合材的特性

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碳素製品:C / C複合材

材質特性

形狀 材質名 體積密度 電阻率   彎曲強度 彎曲彈性模數 拉伸強度 熱膨脹係數 熱傳導率 C/C類型 說明
Mg/m3 μΩm MPa GPa MPa RT~1273K (10-6/K) W/(mK)
    - - - - - (⊥) // (⊥) // 2D/C  
平板 CX-741 1.51 23 140 46 185 8.1 <1 6 35 中強度平板材(成形方法A)
CX-761 1.58 20 185 55 250 8.4 <1 9 44 高強度平板材(成形方法A)
CX-742 1.48 24 130 42 170 7.8 <1 5 34 中強度平板材(成形方法B)
CX-762 1.58 21 170 50 185 8.2 <1 8 42 高強度平板材(成形方法B)
CX-31 1.61 22 90 23 98 4.1 <1 12 52  螺帽和螺栓零件
C/C- 2011) 1.5 30 147 47 127 8.2 <1 5 20 中強度平板材
螺帽和螺栓零件
C/C- 5011) 1.5 29 216 50 147 - <1 5 20 高強度平板材
螺帽和螺栓零件
異型品 CX-743 1.48 24 130 - - 7.8 <1 5 34 異型品
CX-763 1.58 21 170 - - 8.2 <1 8 42 高強度異型品
圓筒 CX-45 1.44 24 105 34 114 8 <1 4 34 中強度圓筒材
CX-47 1.52 23 140 45 154 8 <1 6 35 高強度圓筒材
坩堝 CX-510V 1.57 13 195 - 290 7 <1 7 - FW C/C FW坩堝
圓筒 C/C- FW1) 1.5 12 245 - 245 - <1 5 30 FW熱壓模具
CX-55 1.6 11 195 - 290 7.4 <1 7 - FW圓筒
薄片 CX- 2002U2) 1.65 2.7, 3.4, 5.1 (X,Y,Z) 47, 43, 17 (X,Y,Z) - 35, 30, 11 (X,Y,Z) 5.3 (Z) 1.7, 2.3 (X,Y) 190 (Z) 390, 320 (X,Y) felt C/C 核能用途
  Isotropic Graphite (IG-56) 1.77 12 43 10 27 4.7 104    

表中的數字乃特性代表值, 而非保證值. 
1. 大和田カーボン工業(株)製造
2. 纖維的層積方向為Z軸, 平面方向為X、Y軸. 


可製作的尺寸

材質 尺寸
mm
CX-741,CX-761 2000*1500*0.8-15
CX-742,CX-762 3000*1500*0.8-15
CX-31 最大: 850*400  厚度: 3.2~90
C/C-201 1020*970*1-12   970*720*1-12
C/C-501 最大 : 300*300*20
CX-45,CX-47 內徑 : φ300~1400   長度 : 1400
CX-743,CX-763 U : 80*20*~145*1.2*1000 
CX-743,CX-763  h : 107*44*1.5*1000
CX-510V 最大內徑 : φ1168(46"坩堝可對應)
C/C-FW 最大 : φ950*800h   厚度 : 20~150
CX-55 內徑 : φ10~1400   長度 : 1400
CX-2002U 40*150*150 (X*Y*Z)

*其他尺寸請聯絡洽詢. 


CX-510V不純物測定範例

(高純度處理品)

元素 Na Mg Al K Ca Ti V Cr Fe Ni Cu
含量 <0.05 <0.02 <0.08 <0.1 <0.04 <0.09 <0.07 <0.07 <0.04 <0.1 <0.08
量測法 AAS ICP-AES ICP-AES AAS ICP-AES ICP-AES AAS ICP-AES ICP-AES ICP-AES ICP-AES

表中的數字乃特性代表值, 而非保證值. 
ICP-AES: ICP發光法     AAS: 原子吸光法
CX-510V為高純度材質. 


各種表面處理

東洋炭素獨有的表面處理技術, 具有優異的性能. 

單位:質量ppm
表面處理內容及其效果
GK1處理(GLASTIX KOTE ) 因玻璃炭素的含浸/塗層, 提升耐酸化性、以及防止粉塵的形成.
CVI處理* 因熱分解炭素的含浸/塗層, 提高了對SiO氣體阻力. 
R1含浸 因無機物含浸, 提升耐酸化性. 
TS處理 因表面有做SiC化處理, 提升耐酸化性、以及防止粉塵的形成. 
*化學氣相滲透的縮寫

 

酸化消耗率(%)                               SiO氣體反應性(%)